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AX7610PSK-Q等離子源管渠道商介紹,磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中，氬離子對陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后，沉積到元件表面形成所需膜層。

磁控原理就是采用正交電磁場的特殊分布控制電場中的電子運動軌跡，使得電子在正交電磁場中變成了擺線運動，因而大大增加了與氣體分子碰撞的幾率。

在電場的作用下，電子向基片運動，在運動過程中，電子與充入的氣體原子相互碰撞，使得電離得到離子以及一個電子，新的電子同樣在電場的作用下，向基片運動，而得到的離子在電場的加速作用下，高能量轟擊靶材，濺射靶材料。濺射的粒子中，包括電子、離子以及中性粒子。其中濺射出的中性粒子，具有一定的能量，在基片上沉積，形成薄膜。其中濺射得到的電子也稱為二次電子，二次電子受到電場和磁場的相互作用。而在陰極暗區(qū)，二次電子只受到電場的作用，在負(fù)輝區(qū)，二次電子只受到磁場作用。二次電子在靶材表面受到電場加速作用，然后以一定的速度進(jìn)入負(fù)輝區(qū)，同時，二次電子的速度是垂直于磁場方向的，因此就受到洛倫茲力的作用，在向心力的作用下，做順時針旋轉(zhuǎn)運動。當(dāng)旋轉(zhuǎn)過半周后，二次電子由負(fù)輝區(qū)進(jìn)入陰極暗區(qū)，在電場的作用下，做減速運動，直至降至零。然后，電子在電場的作用下，反響加速，再次進(jìn)入負(fù)輝區(qū)，再次做圓周運動。二次電子在靶材表面螺旋前進(jìn)，這樣增加了電子的運動路徑，使得二次電子被束縛在靶材表面，增加了與氣體原子的碰撞幾率，能夠電離出更多的離子來轟擊靶材，提高濺射速率。同時由于碰撞次數(shù)的增多，二次電子的能量降低，逐漸遠(yuǎn)離靶材表面，最終在電場的作用下，沉積到基片上，由于電子的能量很小，對基片的溫度影響很小。

磁控濺射不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態(tài)，這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可用DC和RF放電工作，故能制備金屬膜和介質(zhì)膜。

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